TSM150NB04LDCR RLG
2个N沟道 耐压:40V 电流:37A 电流:8A
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- 品牌名称Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号
TSM150NB04LDCR RLG商品编号
C3278472商品封装
PDFN-8(5x6)包装方式
编带
商品毛重
1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A；37A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 15mΩ@8A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 2W；40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 966pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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