TSM150NB04LDCR RLG
双N沟道,电流:37A,耐压:40V
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- 商品型号
- TSM150NB04LDCR RLG
- 商品编号
- C3278472
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 966pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 快速开关
- 低热阻封装
- 薄型封装
- 无铅电镀
- 符合欧盟指令 2011/65/EU 的 RoHS 标准，且符合 WEEE 2002/96/EC 指令
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤
应用领域
- 电源
- 电机控制
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