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TSM150NB04LDCR RLG

双N沟道,电流:37A,耐压:40V

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM150NB04LDCR RLG
商品编号: C3278472
商品封装: PDFN-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品特性

低导通电阻RDS(ON),以最小化传导损耗
逻辑电平
低栅极电荷,实现快速功率开关
100%进行非钳位感性开关(UIS)和栅极电阻(Rg)测试
符合RoHS标准
符合IEC 61249-2-21标准的无卤要求

应用领域

无刷直流(BLDC)电机控制
电池电源管理
DC-DC转换器
次级同步整流

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	37A
	导通电阻(RDS(on))	19mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	40W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V
	栅极电荷量(Qg)	18nC@10V
	输入电容(Ciss)	966pF
	反向传输电容(Crss)	64pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道