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TQM300NB06CR RLG

N沟道,电流:27A,耐压:60V

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TQM300NB06CR RLG
商品编号: C3278488
商品封装: PDFNU-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品概述

这些高耐用性器件专为高电压驻波比（VSWR）的工业、医疗、广播和移动无线电应用而设计。其无匹配输入和输出设计支持1.8至400 MHz的频率使用。

商品特性

通过AEC-Q101认证
100%进行UIS和Rg测试
工作结温达175°C
可焊侧翼封装
符合RoHS标准
符合IEC 61249-2-21的无卤要求

应用领域

12V汽车系统
电磁阀和电机控制
汽车变速箱控制
DC-DC转换器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	27A
	导通电阻(RDS(on))	42.3mΩ@7V
	耗散功率(Pd)	56W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3.8V
	栅极电荷量(Qg)	20nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.009nF
	反向传输电容(Crss)	23pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道