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IAUS260N10S5N019TATMA1
1个N沟道 耐压:100V 电流:260A
- 描述
- 特性：OptiMOS功率MOSFET，适用于汽车应用。 N沟道 – 增强模式 – 正常电平。 超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 坚固的设计。 可承受高达260°C峰值回流温度的MSL1等级。 175°C工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUS260N10S5N019TATMA1
- 商品编号
- C3278526
- 商品封装
- HDSOP-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 260A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@210uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 166nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.83nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 92pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.801nF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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