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IPT063N15N5ATMA1

1个N沟道耐压:150V 电流:122A

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPT063N15N5ATMA1
商品编号: C3278541
商品封装: HSOF-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.9克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的后续产品，是针对移相全桥（ZVS）和LLC等软开关应用量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、拥有同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）并改善了关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中实现了最高效率。该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性相结合，且不影响设计导入过程中的轻松实施。

商品特性

N沟道
极低导通电阻((RDS(on)))
出色的热阻特性
100%雪崩测试
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
符合IEC61249-2-21的无卤要求

应用领域

适用于软开关拓扑
针对移相全桥（ZVS）、LLC应用进行优化——服务器、电信、电动汽车充电

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	150V
	连续漏极电流(Id)	122A
	导通电阻(RDS(on))	6.3mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	214W
	阈值电压(Vgs(th))	4.6V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	59nC@10V
	输入电容(Ciss)	4.55nF
	反向传输电容(Crss)	37pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	1.38nF