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IPN95R2K0P7ATMA1
1个N沟道 耐压:950V 电流:4A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPN95R2K0P7ATMA1
- 商品编号
- C3278575
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.194克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 950V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2Ω@1.7A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.5V@80uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 330pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 一流的品质因数 RDS(on) * Eoss ;降低 Qg、Ciss 和 Coss
- 一流的SOT - 223封装RDS(ON)
- 一流的 V(GS)th 为3V,且 V(GS)th 变化最小,为 \pm 0.5V
- 集成齐纳二极管静电放电保护
- 一流的CoolMOSTM品质和可靠性
- 全面优化的产品组合
应用领域
- LED照明反激式拓扑
- 低功率充电器和适配器
- 智能电表
- 辅助电源
- 工业电源
- 消费和太阳能应用中的功率因数校正(PFC)级
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