- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPN95R2K0P7
1个N沟道 耐压:950V 电流:4A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPN95R2K0P7
- 商品编号
- C3278575
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.194克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 950V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 330pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5pF |
商品概述
最新的950V CoolMOS P7系列在950V超结技术领域树立了新的标杆，它将一流的性能与最先进的易用性相结合，这得益于英飞凌超过18年的超结技术创新。
商品特性
- 一流的品质因数RDS(on)Σ*Eoss；降低Qg、Ciss和Coss
- 一流的SOT - 223封装RDS(on)
- 一流的V(GS)th为3V，且V(GS)th变化最小，为±0.5V
- 集成齐纳二极管ESD保护
- 一流的CoolMOS品质和可靠性
- 完全优化的产品组合
应用领域
推荐用于LED照明的反激拓扑、低功率充电器和适配器、智能电表、辅助电源和工业电源。也适用于消费和太阳能应用中的PFC级。