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IPN95R2K0P7ATMA1
1个N沟道 耐压:950V 电流:4A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPN95R2K0P7ATMA1
- 商品编号
- C3278575
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.194克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 950V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2Ω@1.7A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.5V@80uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 330pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 针对高性能降压转换器优化的同步场效应晶体管（SyncFET）
- 集成单片类肖特基二极管
- 极低导通电阻，栅源电压VGS = 4.5 V时的导通电阻RDS(on)
- 出色的热阻性能
- N沟道
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤
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