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ISP16DP10LMXTSA1
1个P沟道 耐压:100V 电流:3.9A
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- 描述
- 特性：P- 沟道。 极低导通电阻 RDS(on) @ VDS = 4.5 V。 100% 雪崩测试。 逻辑电平。 增强模式。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISP16DP10LMXTSA1
- 商品编号
- C3278592
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1945克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1037uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
优惠活动
购买数量
(1000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1000个/圆盘
总价金额：
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