温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSS127IXTSA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:0.021A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：n- 沟道增强模式。 逻辑电平（额定 4.5V）。 dv/dt 额定。 100% 无铅；符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤。 完全符合 JEDEC 工业应用标准
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSS127IXTSA1
- 商品编号
- C3278608
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V@8uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 650pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 21pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.4pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交4单
相似推荐
其他推荐
- BSS123IXTSA1
- BSS138IXTSA1
- ISS55EP06LMXTSA1
- BSS223PWH6327
- BSD816SNH6327
- IPLK70R600P7ATMA1
- ISC0804NLSATMA1
- IAUC120N04S6L012ATMA1
- BSC016N06NSSCATMA1
- IPLK70R1K4P7ATMA1
- IAUC120N04S6N013ATMA1
- ISC0702NLSATMA1
- IPLK70R900P7ATMA1
- IAUC100N04S6L020
- ISC019N04NM5ATMA1
- ISC230N10NM6ATMA1
- ISC012N04NM6ATMA1
- ISC027N10NM6ATMA1
- ISC010N04NM6ATMA1
- BSC014N06NSTATMA1
- ISC015N04NM5ATMA1