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ISC027N10NM6ATMA1
1个N沟道 耐压:100V 电流:192A
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- 描述
- 特性：N沟道，正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低反向恢复电荷(Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175°C工作温度。 针对高频开关和同步整流进行了优化。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤素。 根据J-STD-020标准MSL 1分类
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISC027N10NM6ATMA1
- 商品编号
- C3278637
- 商品封装
- TDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 192A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 217W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V@116uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF |
商品特性
- 针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流器（sync. rec.）
- 在VGS = 4.5 V时，导通电阻RDS(on)极低
- 经过100%雪崩测试
- 出色的热阻特性
- N沟道
- 符合JEDEC标准，适用于目标应用
- 引脚采用无铅镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准为无卤产品
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