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ISC017N04NM5ATMA1
1个N沟道 耐压:40V 电流:193A
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- 描述
- 特性：电池供电应用。 低压电机驱动。 极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21规定为无卤。 额定温度175℃
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISC017N04NM5ATMA1
- 商品编号
- C3278642
- 商品封装
- TDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.328克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 193A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V@60uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.2nF |
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