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ISC017N04NM5ATMA1

1个N沟道耐压:40V 电流:193A

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描述: 特性：电池供电应用。低压电机驱动。极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21规定为无卤。额定温度175℃
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: ISC017N04NM5ATMA1
商品编号: C3278642
商品封装: TDSON-8FL
包装方式: 编带
商品毛重: 0.328克(g)

商品参数

这款单N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的Power Trench®工艺设计，旨在优化特殊MicroFET引线框架上栅源电压（VGS） = 1.5 V时的漏源导通电阻（rDS(ON)）。