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BSC160N10NS3GATMA1
1个N沟道 耐压:100V 电流:42A
- 描述
- 特性：优化用于直流-直流转换。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 工作温度150℃。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无卤（根据IEC61249-2-21）
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC160N10NS3GATMA1
- 商品编号
- C3278659
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@33uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
交货周期
订货14-18个工作日购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 5000 个)个
起订量：5000 个5000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交3单
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