温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IAUC60N06S5N074ATMA1
汽车级MOSFET 1个N沟道 耐压:60V 电流:60A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：N沟道，适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET。 增强模式。 正常电平，超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 稳健设计。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。应用：一般汽车应用
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUC60N06S5N074ATMA1
- 商品编号
- C3278675
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.282058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V@19uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.461nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 369pF |
商品特性
- 适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET
- N沟道 - 增强型 - 逻辑电平
- 通过AEC Q101认证
- 最高260°C峰值回流温度下的MSL1等级
- 工作温度达175°C
- 绿色产品（符合RoHS标准）
- 100%雪崩测试
相似推荐
其他推荐
- IAUC50N08S5L096ATMA1
- IAUC60N10S5L110ATMA1
- IAUC41N06S5N102ATMA1
- IPC100N04S5L1R9ATMA1
- IAUC100N10S5L054ATMA1
- IPC90N04S5L3R3ATMA1
- IAUC90N10S5N062ATMA1
- IAUC100N08S5N034ATMA1
- IAUC120N06S5L032ATMA1
- IPG20N06S2L65ATMA1
- IPG20N04S409AATMA1
- IPG20N06S4L26ATMA1
- BSC150N03LDGATMA1
- IPG20N10S4L22ATMA1
- IAUC120N06S5N017ATMA1
- ISC0805NLSATMA1
- ISC019N03L5S
- IAUC120N04S6L005ATMA1
- IAUC120N04S6N006ATMA1
- IAUC60N04S6L045HATMA1
- IAUC45N04S6N070HATMA1