温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IAUC60N04S6L045HATMA1
2个N沟道 耐压:40V 电流:60A
- 描述
- 特性：适用于汽车应用的功率MOSFET-半桥。 N沟道。 增强模式。 逻辑电平。 通过AEC Q101认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUC60N04S6L045HATMA1
- 商品编号
- C3278715
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.495克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@13uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.136nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 325pF |
商品特性
- OptiMOS™ - 汽车应用功率MOSFET
- N沟道 - 增强模式 - 标准电平
- 通过AEC Q101认证
- 最高260°C峰值回流温度下达到MSL1
- 工作温度175°C
- 绿色产品（符合RoHS标准）
- 100%雪崩测试
相似推荐
其他推荐
- IAUC45N04S6N070HATMA1
- IAUC60N04S6N050HATMA1
- ISC037N03L5ISATMA1
- BSC032NE2LSATMA1
- BSC065N06LS5ATMA1
- BSC096N10LS5ATMA1
- BSC015NE2LS5I
- BSC0901NSIATMA1
- ISC0603NLSATMA1
- BSC0501NSI
- BSC066N06NS
- BSC094N06LS5
- BSC117N08NS5
- BSC070N10LS5ATMA1
- BSC072N08NS5ATMA1
- BSC014NE2LSIATMA1
- BSC160N15NS5ATMA1
- BSC028N06NSTATMA1
- BSC0910NDIATMA1
- BSC0993NDATMA1
- BSG0811NDATMA1