温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSC0993NDATMA1
2个N沟道 耐压:30V 电流:17A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：双N沟道OptiMOS MOSFET，优化了开关性能。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 适用于无线充电器。 符合JEDEC1标准，适用于目标应用。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC0993NDATMA1
- 商品编号
- C3278740
- 商品封装
- TISON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 440pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个5000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
相似推荐
其他推荐
- BSG0811NDATMA1
- SP001606042
- IPA030N10NF2SXKSA1
- IPP60R099P6XKSA1
- IPP065N04NG
- IPP60R330P6XKSA1
- IPP65R095C7XKSA1
- IPP60R280P7XKSA1
- IPP060N06NAKSA1
- IPP330P10NMAKSA1
- IPP085N06LGIN
- IPP110N20NAAKSA1
- IPP80R1K2P7XKSA1
- IPP65R099CFD7AAKSA1
- IPP65R145CFD7AAKSA1
- IPP08CNE8NG
- IPP80R900P7XKSA1
- IPP65R190CFD7AAKSA1
- IPP65R190C7FKSA1
- IPP65R110CFD7XKSA1
- IPP80R1K4P7XKSA1