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BSC015NE2LS5I
1个N沟道 耐压:25V 电流:147A
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- 描述
- 特性：针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 极低导通电阻 RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N 沟道。 根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC015NE2LS5I
- 商品编号
- C3278724
- 商品封装
- TDSON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.105克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 147A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1nF |
商品概述
最新的950V CoolMOS™ P7系列为950V超结技术树立了新的标杆，将一流的性能与先进的易用性相结合，这得益于英飞凌超过18年的超结技术创新先驱经验。
商品特性
- 一流的品质因数RDS(on) * E_oss；降低Q_g、C_iss和C_oss
- 一流的SOT-223封装RDS(on)
- 一流的V_(GS)阈值为3V，且V_(GS)阈值变化最小，为±0.5V
- 集成齐纳二极管静电放电保护
- 一流的CoolMOS™品质和可靠性
- 全面优化的产品组合
应用领域
-LED照明的反激式拓扑-低功率充电器和适配器-智能电表-辅助电源-工业电源-消费和太阳能应用中的功率因数校正级
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