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IPP60R099P6XKSA1

1个N沟道耐压:600V 电流:37.9A

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描述: CoolMOS是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。CoolMOS P6系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术。该系列器件具备快速开关型SJ MOSFET的所有优势，同时不影响其易用性
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPP60R099P6XKSA1
商品编号: C3278758
商品封装: TO-220-3
包装方式: 管装
商品毛重: 3.83克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计。CoolMOS P6系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新成果。所提供的器件在不牺牲易用性的同时，具备快速开关SJ MOSFET的所有优势。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热良好。

商品特性

增强了MOSFET的dv/dt鲁棒性
由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss,损耗极低
极高的换向鲁棒性
易于使用/驱动
无铅镀层,无卤模塑料
符合JEDEC(J-STD20和JESD22)工业级应用标准

应用领域

例如用于PC主机、适配器、液晶与等离子电视、照明、服务器、电信和UPS的PFC级、硬开关PWM级和谐振开关级。

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	37.9A
	导通电阻(RDS(on))	99mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	278W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4.5V
	栅极电荷量(Qg)	70nC@10V
	输入电容(Ciss)	3.33nF
	反向传输电容(Crss)	140pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	输出电容(Coss)	140pF