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IPP80R1K2P7XKSA1

1个N沟道耐压:800V 电流:4.5A

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描述: 800V CoolMOS P7系列在800V超结技术方面树立了新的基准，将一流的性能与先进的易用性相结合，这得益于英飞凌超过18年的超结技术创新。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPP80R1K2P7XKSA1
商品编号: C3278790
商品封装: TO-220-3
包装方式: 管装
商品毛重: 3.2克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是高压功率MOSFET的一项革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个经过优化的平台，专为消费市场中对成本敏感的应用而定制，如充电器、适配器、照明、电视等。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时拥有出色的性价比和先进的易用性。这项技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。

商品特性

一流的品质因数 RDS(on) * Eoss;降低了 Qg、Ciss 和 Coss
一流的DPAK封装RDS(ON)
一流的3V V(GS)th 和最小 \pm 0.5V 的 V(GS)th 变化
集成齐纳二极管ESD保护
完全符合JEDEC标准,适用于工业应用
全面优化的产品组合

应用领域

用于LED照明的硬开关和软开关反激式拓扑结构
低功率充电器和适配器
音频
辅助电源
工业电源
消费类应用中的PFC级
太阳能应用中的PFC级

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	800V
	连续漏极电流(Id)	4.5A
	导通电阻(RDS(on))	1.2Ω@10V
	耗散功率(Pd)	37W
	阈值电压(Vgs(th))	3V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	11nC@10V
	输入电容(Ciss)	300pF
	反向传输电容(Crss)	102pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	6pF