IPP65R110CFD7XKSA1
650V,电流:14A,耐压:700V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP65R110CFD7XKSA1
- 商品编号
- C3278801
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 114W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@0.48mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.942nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 751pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 32pF |
商品概述
最新的800V CoolMOS P7系列为800V超结技术树立了新标杆，将一流的性能与最先进的易用性相结合，这得益于超18年的超结技术创新先驱经验。
商品特性
- 一流的品质因数RDS(on) * Eoss；降低Qg、Ciss和Coss
- 一流的DPAK RDS(on)
- 一流的3V V(GS)th，最小的V(GS)th变化±0.5V
- 集成齐纳二极管ESD保护
- 完全符合JEDEC工业应用标准
- 全面优化的产品组合
应用领域
- 用于LED照明的硬开关和软开关反激拓扑-低功率充电器和适配器-音频-辅助电源-工业电源-消费应用中的PFC级-太阳能