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IPA65R600C6

1个N沟道耐压:650V 电流:7.3A

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPA65R600C6
商品编号: C3278848
商品封装: TO-220-3
包装方式: 管装
商品毛重: 2.718克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C6系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术。由此产生的器件在不牺牲易用性的前提下，具备快速开关SJ MOSFET的所有优势。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热性能更好。

商品特性

极低的FOM(Rdson*Qg和Eoss)带来极低的损耗
极高的换向鲁棒性
易于使用/驱动
通过JEDEC认证,无铅电镀,采用无卤模塑料

应用领域

功率因数校正(PFC)级
硬开关脉宽调制(PWM)级
谐振开关PWM级,例如用于电脑电源、适配器、液晶与等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源(UPS)

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	7.3A
	导通电阻(RDS(on))	600mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	63W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3.5V
	栅极电荷量(Qg)	23nC@10V
	输入电容(Ciss)	440pF
	反向传输电容(Crss)	88pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	输出电容(Coss)	30pF