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IPA60R190C6XKSA1

1个N沟道耐压:600V 电流:20.2A

品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPA60R190C6XKSA1
商品编号: C3278893
商品封装: TO-220-FP
包装方式: 管装
商品毛重: 2.718克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。CoolMOS™ C6 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与卓越创新。所提供的器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势，同时不牺牲易用性。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更佳。

商品特性

由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss,损耗极低
极高的换向鲁棒性
易于使用/驱动
通过 JEDEC 认证,无铅镀层,无卤素

应用领域

功率因数校正(PFC)级
硬开关脉宽调制(PWM)级
谐振开关 PWM 级,例如用于 PC 电源、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源(UPS)

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	20.2A
	导通电阻(RDS(on))	190mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	151W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3.5V
	栅极电荷量(Qg)	63nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.4nF
	工作温度	-55℃~+150℃
	输出电容(Coss)	85pF