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IPW65R037C6FKSA1

1个N沟道 耐压:650V 电流:83.2A

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描述
CoolMos tm 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术,它基于超结(SJ)原理设计,由英飞凌科技公司率先推出。CoolMOs Tm C6 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与卓越创新。由此产生的器件在不牺牲易用性的同时,具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势
商品型号
IPW65R037C6FKSA1
商品编号
C3278913
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
8.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)83.2A
导通电阻(RDS(on))37mΩ@10V
耗散功率(Pd)500W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V@3.3mA
栅极电荷量(Qg)330nC@10V
输入电容(Ciss)7.24nF@100V
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

优惠活动

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