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IPWS65R075CFD7AXKSA1

汽车级650V MOSFET,电流:20A,耐压:650V

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPWS65R075CFD7AXKSA1
商品编号: C3278945
商品封装: TO-247-3-41
包装方式: 管装
商品毛重: 7.562克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。CoolMOS™ P6 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与一流创新。所提供的器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势，同时不牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更佳。

商品特性

市场上最新的具备集成快速体二极管的 650V 汽车级技术,拥有超低反向恢复电荷(Qrr)
最低的品质因数 RDS(on)*Qg 和 RDS(on)*Eoss
经过 100% 雪崩测试
在贴片(SMD)和通孔(THD)封装中具备同类最佳的导通电阻 RDS(on)

应用领域

单向和双向 DC - DC 转换器
车载电池充电器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	32A
	导通电阻(RDS(on))	75mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	171W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4.5V
	栅极电荷量(Qg)	68nC@10V
	输入电容(Ciss)	3.288nF
	反向传输电容(Crss)	1.153nF
	工作温度	-40℃~+150℃