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IPS60R210PFD7SAKMA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:10A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPS60R210PFD7SAKMA1
- 商品编号
- C3278969
- 商品封装
- TO-251-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@10V,4.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 64W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@0.24mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.015nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF@400V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS™ 第七代平台是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS™ P7系列是CoolMOS™ P6系列的继任者。它将快速开关超结MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如极低的振铃倾向、体二极管在硬换相时的出色耐用性以及卓越的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。
商品特性
- 由于具有出色的换相耐用性，适用于硬开关和软开关（PFC和LLC）
- 显著降低开关和传导损耗
- 所有产品的ESD耐用性出色，>2kV（HBM）
- 低RDS(on)A（低于1欧姆平方毫米）使RDS(on)/封装产品比竞品更具优势
应用领域
- 用于例如PC主机、适配器、LCD和PDP电视、照明、服务器、电信和UPS的PFC级、硬开关PWM级和谐振开关级。
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