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IPS60R210PFD7SAKMA1

1个N沟道耐压:600V 电流:10A

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPS60R210PFD7SAKMA1
商品编号: C3278969
商品封装: TO-251-3
包装方式: 管装
商品毛重: 1.2克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS™ 第七代平台是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS™ P7系列是CoolMOS™ P6系列的继任者。它将快速开关超结MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如极低的振铃倾向、体二极管在硬换相时的出色耐用性以及卓越的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。

商品特性

由于极低的品质因数RDS(on) * Qg和RDS(on) * Eoss,损耗极低
开关损耗Eoss低,热性能出色
快速体二极管
RDS(on)和封装类型多样

应用领域

高密度充电器中使用的零电压开关(ZVS)拓扑
适配器
照明
电机驱动应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	16A
	导通电阻(RDS(on))	210mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	64W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4.5V
	栅极电荷量(Qg)	23nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.015nF
	反向传输电容(Crss)	33pF
	工作温度	-40℃~+150℃