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IPD50R2K0CEAUMA1
1个N沟道 耐压:500V 电流:3.6A
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- 描述
- CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够在满足最高效率标准的同时，针对消费和照明市场中对成本敏感的应用。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供了市场上最佳的成本与性能比。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD50R2K0CEAUMA1
- 商品编号
- C3279025
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@13V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@50uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 124pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS是高压功率MOSFET的一项革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能满足最高效率标准，适用于消费和照明市场对成本敏感的应用。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时不影响易用性，且拥有市场上最佳的降本性能比。
商品特性
- 极低的FOM（导通电阻*栅极电荷）和输出电容损耗，实现极低的损耗
- 极高的换向耐用性
- 易于使用和驱动
- 无铅镀层，无卤模塑料
- 符合标准等级应用要求
应用领域
- 用于PC主机、适配器、液晶和等离子电视以及室内照明等的PFC级、硬开关PWM级和谐振开关级。
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