IPD60R1K5CEAUMA1
耐压:600V 电流:5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台,能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求,同时仍符合最高效率标准。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点,同时不牺牲易用性,并提供了市场上最佳的成本效益比。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD60R1K5CEAUMA1
- 商品编号
- C3279047
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.55696克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 49W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@90uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 200pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 16pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个2500个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交1单
相似推荐
其他推荐
- IPD180N10N3GATMA1
- IPD42DP15LMATMA1
- IPD18DP10LMATMA1
- SPD07N60C2
- SPD03N60C3ATMA1
- IPD50N10S3L16
- IPD50P03P4L11
- IPD80P03P4L07ATMA1
- IPD30N03S4L09ATMA1
- IPD050N03LGATMA1
- IPD50N06S4L12
- IPD35N10S3L26
- IPD30N06S2L13
- IPD90N06S4L03ATMA2
- IPD50N06S4L08ATMA2
- IPD30N08S2L21ATMA1
- IPD50N06S4-09
- IPD06N03LAG
- IPD30N03S4L14ATMA1
- IPD90N06S405ATMA2
- IPD26N06S2L35ATMA2

