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IPD60R1K5CEAUMA1实物图
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IPD60R1K5CEAUMA1

耐压:600V 电流:5A

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描述
CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台,能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求,同时仍符合最高效率标准。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点,同时不牺牲易用性,并提供了市场上最佳的成本效益比。
商品型号
IPD60R1K5CEAUMA1
商品编号
C3279047
商品封装
TO-252-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.55696克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))1.5Ω@10V
耗散功率(Pd)49W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V@90uA
栅极电荷量(Qg)9.4nC@10V
输入电容(Ciss)200pF
工作温度-40℃~+150℃
输出电容(Coss)16pF

数据手册PDF

优惠活动

  • 8.1

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    (2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
    起订量:1 个2500个/圆盘

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