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IPD050N03LGATMA1
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。 针对DC/DC转换器优化的技术。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道，逻辑电平。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积 (FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 雪崩额定。 无铅镀层；符合RoHS标准
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD050N03LGATMA1
- 商品编号
- C3279066
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF |
商品特性
- 适用于开关电源(SMPS)的快速开关MOSFET
- 针对直流-直流(DC/DC)转换器优化的技术
- 符合JEDEC标准,适用于目标应用
- N沟道、逻辑电平
- 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 雪崩额定
- 无铅镀层;符合RoHS标准
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