IPD06N03LAG
N沟道,电流:50A,耐压:25V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD06N03LAG
- 商品编号
- C3279079
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.653nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 147pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.064nF |
商品特性
- 非常适合高频直流-直流转换器
- 针对目标应用通过JEDEC认证
- N沟道、逻辑电平
- 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(品质因数FOM)
- 优异的热阻性能
- 工作温度可达175°C
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
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