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IPI052NE7N3G

N沟道,电流:80A,耐压:75V

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPI052NE7N3G
商品编号: C3279126
商品封装: TO-262-3
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。CoolMOS C6系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术。由此生产的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优势，同时不影响易用性。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热性能更好。

商品特性

针对同步整流优化的技术
非常适合高频开关和 DC/DC 转换器
出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积(品质因数 FOM)
极低的导通电阻 RDS(on)
N 沟道,标准电平
100% 雪崩测试
无铅镀层;符合 RoHS 标准,无卤
针对目标应用通过 JEDEC 认证

应用领域

功率因数校正（PFC）级
硬开关脉宽调制（PWM）级
谐振开关PWM级，例如用于电脑主机、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源（UPS）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	75V
	连续漏极电流(Id)	80A
	导通电阻(RDS(on))	5.2mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	150W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3.8V
	栅极电荷量(Qg)	68nC@10V
	输入电容(Ciss)	4.75nF
	反向传输电容(Crss)	60pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	输出电容(Coss)	1.07nF