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IPB120P04P4L03ATMA1
1个P沟道 耐压:40V 电流:120A
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- 描述
- 特性：P沟道逻辑电平增强模式。 AEC认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色封装（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB120P04P4L03ATMA1
- 商品编号
- C3279160
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@340uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 234nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
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