IPB65R145CFD7AATMA1
650V,电流:11A,耐压:650V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB65R145CFD7AATMA1
- 商品编号
- C3279180
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.859克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 145mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 98W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.694nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 617pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品特性
- 市场上具备集成快速体二极管的最新 650V 汽车级技术,具有超低反向恢复电荷(Qrr)
- 最低的品质因数 RDS(on)*Qg 和 RDS(on)*Eoss
- 经过 100% 雪崩测试
- SMD 和 THD 封装中具有同类最佳的导通电阻 RDS(on)
应用领域
- 单向和双向 DC-DC 转换器
- 车载电池充电器