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IPB100N06S2L05ATMA2
1个N沟道 耐压:55V 电流:100A
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- 描述
- 特性：N-channel Logic Level。Enhancement mode。Automotive AEC Q101 qualified。MSL1 up to 260℃ peak reflow。175℃ operating temperature。Green package (lead free)。Ultra low Rds(on)。100% Avalanche tested
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB100N06S2L05ATMA2
- 商品编号
- C3279220
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.425克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 230nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.66nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.33nF |
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