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IMBG120R090M1HXTMA1
SiC沟槽MOSFET，具备.xT互连技术，低开关损耗、可控dV/dt、抗寄生导通、体二极管耐用、散热性能好
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMBG120R090M1HXTMA1
- 商品编号
- C3279260
- 商品封装
- TO-263-7-12
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.266667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC | |
| 输入电容(Ciss) | 763pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 39pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ |
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- IPB160N04S203
- IPB180N10S402ATMA1
- IPB240N03S4LR9ATMA1
- IPB180N04S401
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- IRFHS8342TR2PBF
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