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ISZ0703NLSATMA1
1个N沟道 耐压:60V 电流:56A
- 描述
- 特性：适用于高频开关。 针对充电器进行了优化。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道，逻辑电平。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 适用于标准等级应用
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISZ0703NLSATMA1
- 商品编号
- C3279291
- 商品封装
- TSDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.282058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.3mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 44W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@15uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品特性
- 针对同步整流进行优化
- 经过100%雪崩测试
- 卓越的热阻性能
- N沟道，常电平
- 针对目标应用符合JEDEC标准
- 引脚采用无铅电镀；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤
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