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IAUZ30N06S5L140ATMA1

1个N沟道耐压:60V 电流:30A

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描述: 特性：- OptiMOS功率MOSFET，适用于汽车应用，N沟道。增强模式。逻辑电平。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IAUZ30N06S5L140ATMA1
商品编号: C3279296
商品封装: TSDSON-8FL
包装方式: 编带
商品毛重: 0.162克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它将快速开关超结MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如极低的振铃倾向、体二极管在硬换向时具有出色的鲁棒性以及卓越的静电放电（ESD）能力。此外，极低的开关损耗和导通损耗使开关应用更加高效、更紧凑且温度更低。

商品特性

由于具有出色的换向鲁棒性，适用于硬开关和软开关（PFC和LLC）
显著降低开关损耗和导通损耗
所有产品的ESD鲁棒性极佳，>2kV（HBM）
低RDS(on)A（低于1欧姆平方毫米）使RDS(on)/封装产品相比竞品更具优势
完全符合JEDEC工业应用标准

应用领域

PFC级-硬开关PWM级-用于PC主机、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和UPS的谐振开关级

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	30A
	导通电阻(RDS(on))	14mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	33W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.2V@10uA
	栅极电荷量(Qg)	12.2nC@10V
	输入电容(Ciss)	888pF
	反向传输电容(Crss)	15pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	输出电容(Coss)	177pF