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ISZ065N03L5SATMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ISZ065N03L5SATMA1

1个N沟道 耐压:30V 电流:40A

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描述
特性:针对高性能降压转换器(服务器、VGA)进行优化。 高频开关电源的极低 FOMoss。 高频开关电源的低 FOMsw。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(FOM)。 在 VGS = 4.5 V 时具有极低的导通电阻 RDS(on)。 卓越的热阻。 N 沟道。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
商品型号
ISZ065N03L5SATMA1
商品编号
C3279315
商品封装
TSDSON-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.142222克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))8.6mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10nC@10V
输入电容(Ciss)670pF
反向传输电容(Crss)40pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)270pF

数据手册PDF

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(5000个/圆盘,最小起订量 1 个)
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