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IPL60R060CFD7AUMA1
1个N沟道 耐压:650V 电流:25A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPL60R060CFD7AUMA1
- 商品编号
- C3279337
- 商品封装
- VSON-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 219W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 79nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.193nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：电机控制、DC-DC转换器、电源管理。
商品特性
-超快体二极管-低栅极电荷-同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)-改善了MOSFET反向二极管的dv/dt和diF/dt鲁棒性-最低的品质因数RDS(ON)*Qg和RDS(ON)*Eoss-SMD和THD封装中同类最佳的RDS(ON)
应用领域
- 软开关拓扑
- 移相全桥(ZVS)、LLC应用——服务器、电信、电动汽车充电
- 工业应用
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