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IPL65R115CFD7AUMA1
650V CoolMOSTMCFD7 SJ 功率器件
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- 描述
- 最新的650V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CoolMOS CFD2的继任者。由于改进了开关性能和出色的热性能，650V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥 (ZVS)）中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合。CoolMOS CFD7技术满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPL65R115CFD7AUMA1
- 商品编号
- C3279349
- 商品封装
- VSON-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2805克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 144W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.942nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 751pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 32pF |
商品概述
最新的800V CoolMOS™ P7系列为800V超结技术树立了新标杆，结合了一流的性能与最先进的易用性，这得益于超18年的超结技术创新先驱经验。
商品特性
- 超快速体二极管
- 650 V击穿电压
- 同类最佳的RDS(ON)
- 降低开关损耗 -RDS(ON)随温度变化小
应用领域
- 软开关拓扑
- 移相全桥(ZVS)、LLC应用——服务器、电信、电动汽车充电、太阳能