FDMS5361L-F085

N沟道,电流:35A,耐压:60V

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品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: FDMS5361L-F085
商品编号: C3279382
商品封装: Power-56
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品概述

最新的650 V CoolMOS™ CFD7扩展了CFD7系列的电压等级，是650 V CoolMOS™ CFD2的换代产品。凭借改进的开关性能和出色的热性能，650 V CoolMOS™ CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列融合了快速开关技术的所有优势和卓越的硬换相鲁棒性。CoolMOS™ CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

商品特性

在 VGS = 10 V、ID = 16.5 A 条件下,典型 rDS(on) = 11.7 m Ω
在 VGS = 10 V、ID = 16.5 A 条件下,典型 Qg(\text tot) = 37 nC
具备单脉冲雪崩耐量
符合 RoHS 标准
通过 AEC Q101 认证

应用领域

汽车发动机控制
动力系统管理
电磁阀和电机驱动器
集成式起动机/交流发电机
12V 系统主开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	35A
	导通电阻(RDS(on))	15mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	75W
	阈值电压(Vgs(th))	3V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	44nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.98nF
	反向传输电容(Crss)	93pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	176pF