FDMS5361L-F085
N沟道,电流:35A,耐压:60V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS5361L-F085
- 商品编号
- C3279382
- 商品封装
- Power-56
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.98nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 93pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 176pF |
商品概述
最新的650 V CoolMOS™ CFD7扩展了CFD7系列的电压等级，是650 V CoolMOS™ CFD2的换代产品。凭借改进的开关性能和出色的热性能，650 V CoolMOS™ CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列融合了快速开关技术的所有优势和卓越的硬换相鲁棒性。CoolMOS™ CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 16.5 A 条件下,典型 rDS(on) = 11.7 m Ω
- 在 VGS = 10 V、ID = 16.5 A 条件下,典型 Qg(\text tot) = 37 nC
- 具备单脉冲雪崩耐量
- 符合 RoHS 标准
- 通过 AEC Q101 认证
应用领域
- 汽车发动机控制
- 动力系统管理
- 电磁阀和电机驱动器
- 集成式起动机/交流发电机
- 12V 系统主开关