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DMTH10H1M7STLWQ-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:250A
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下领域：电机控制、直流-直流转换器、电源管理。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH10H1M7STLWQ-13
- 商品编号
- C3279386
- 商品封装
- PowerDI1012-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.394克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 147nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.871nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准,有生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于以下场景: 电机控制 直流 - 直流转换器 电源管理
商品特性
- 额定温度可达+175°C,适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试,确保最终应用更可靠、更耐用
- 高转换效率
- 低导通电阻RDS(ON),可将导通状态损耗降至最低
- 可焊侧翼,便于光学检测
- 无铅涂层,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
应用领域
-电机控制-直流-直流转换器-电源管理
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