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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.26W |
商品概述
这款1.26 W射频功率LDMOS晶体管专为覆盖728至3600 MHz频率范围的蜂窝基站应用而设计。
商品特性
- 更大的负栅源电压范围,改善C类工作状态
- 专为数字预失真误差校正系统设计
- 带有内部射频反馈的通用宽带驱动器件
应用领域
- 蜂窝基站
- FDMS5361L-F085
- DMTH10H1M7STLWQ-13
- DMT47M2LDVQ-13
- DMP6050SFG-7
- DMP1011LFV-7
- DMN3025LFV-13
- DMPH4029LFGQ-7
- DMTH6016LFVWQ-7
- DMTH4014LPD-13
- DMT8012LPS-13
- SIZ250DT-T1-GE3
- SIZ256DT-T1-GE3
- SIZ998BDT-T1-GE3
- SIZ980BDT-T1-GE3
- SIZF906BDT-T1-GE3
- SIZ926DT-T1-GE3
- SIHK065N60E-T1-GE3
- SIHK075N60E-T1-GE3
- SIHK055N60E-T1-GE3
- SIHK125N60E-T1-GE3
- SI7116DN-T1-GE3