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IPL60R365P7AUMA1

1个N沟道耐压:600V 电流:10A

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描述: CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和优异的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPL60R365P7AUMA1
商品编号: C3279342
商品封装: VSON-4
包装方式: 编带
商品毛重: 0.9克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS™ 第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS™ P7系列是CoolMOS™ P6系列的继任者。它将快速开关超结MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如极低的振铃倾向、体二极管在硬换向时具有出色的鲁棒性以及卓越的ESD能力。此外，极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。

商品特性

由于具有出色的换向鲁棒性，适用于硬开关和软开关（PFC和LLC）
显著降低开关损耗和传导损耗
所有产品的ESD鲁棒性极佳，>2kV（HBM）
低RDS(on)A（低于1Ohmmm²）使得与竞品相比，RDS(on)/封装产品更优
完全符合JEDEC工业应用标准

应用领域

用于如PC主机、适配器、LCD和PDP电视、照明、服务器、电信和UPS等设备的PFC级、硬开关PWM级和谐振开关级。

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	10A
	导通电阻(RDS(on))	365mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	46W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V@0.14mA
	栅极电荷量(Qg)	13nC@10V
	输入电容(Ciss)	555pF@400V
	反向传输电容(Crss)	214pF@400V
	工作温度	-40℃~+150℃