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IPL60R385CPAUMA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:9A
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- 描述
- CoolMOS™ CP 系列器件兼具快速开关超结（SJ）MOSFET 的所有优势，且使用便捷。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更佳。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPL60R385CPAUMA1
- 商品编号
- C3279346
- 商品封装
- VSON-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.633333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 385mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 790pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 38pF |
商品概述
CoolMOS CP系列器件兼具快速开关超结(SJ)MOSFET的所有优势,且使用便捷。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热性能更佳。
商品特性
- 减少电路板空间占用
- 提高功率密度
- 短换相回路
- 开关波形平滑
- 产品使用便捷
- 极低的品质因数Rds(on)*Qg和Eoss,损耗极低
- 针对目标应用(服务器、适配器)通过JEDEC(J-STD20和JESD22)认证
- 无铅镀层,无卤素
应用领域
-服务器-适配器
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