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IPL65R130C7AUMA1
1个N沟道 耐压:650V 电流:15A
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- 描述
- CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。CoolMOS C7系列融合了领先的超结MOSFET供应商的经验与卓越创新。该产品组合具备快速开关超结MOSFET的所有优势，可实现更高效率、更低栅极电荷、易于应用且可靠性出众
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPL65R130C7AUMA1
- 商品编号
- C3279344
- 商品封装
- VSON-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 102W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.67nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 增强了 MOSFET 的 dv/dt 鲁棒性
- 凭借同类最佳的品质因数(FOM)((RDS(on) * Eoss) 和 (RDS(on) * Qg))实现更高效率
- ThinPAK 贴片封装,寄生电感极低,可实现快速可靠的开关,同时尺寸最小化以提高功率密度
- 由于设有驱动源极引脚,便于更好地控制栅极,因此易于使用和驱动
- 无铅电镀,无卤模塑料
- 符合 JEDEC(J - STD20 和 JESD22)标准,适用于工业级应用
应用领域
- 用于例如计算机、服务器、电信、UPS 和太阳能等领域的 PFC 级和硬开关 PWM 级。
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