IPL60R095CFD7AUMA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:25A
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- 描述
- CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者,是为软开关应用(如移相全桥(ZVS)和LLC)量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、具有一流的反向恢复电荷 (Qrr) 以及改进的关断性能,CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合,同时在设计过程中易于实现
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPL60R095CFD7AUMA1
- 商品编号
- C3279338
- 商品封装
- VSON-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 147W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.103nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(on)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-超快速体二极管-低栅极电荷-同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)-改善了MOSFET反向二极管的dv/dt和diF/dt鲁棒性-最低的品质因数RDS(ON)*Qg和RDS(ON)*Eoss-SMD和THD封装中同类最佳的RDS(ON)
应用领域
- 适用于软开关拓扑
- 针对移相全桥(ZVS)、LLC应用进行优化 —— 服务器、电信、电动汽车充电
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