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BSZ018NE2LSATMA1实物图
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BSZ018NE2LSATMA1

1个N沟道 耐压:25V 电流:153A

描述
特性:针对高性能降压转换器(服务器、VGA)进行优化。 高频开关电源(SMPS)的极低 FOMQoss。 高频开关电源(SMPS)的低 FOMSW。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(FOM)。 在 VGS = 4.5 V 时具有极低的导通电阻 RDS(on)。 100% 雪崩测试。 卓越的热阻。 N 沟道。 根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
商品型号
BSZ018NE2LSATMA1
商品编号
C3279317
商品封装
TSDSON-8FL​
包装方式
编带
商品毛重
0.038克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)25V
连续漏极电流(Id)153A
导通电阻(RDS(on))2.4mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)69W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)52nC@10V
输入电容(Ciss)3.724nF
反向传输电容(Crss)110pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.33nF

数据手册PDF

交货周期

订货7-9个工作日

购买数量

(1个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个1个/圆盘

总价金额:

0.00

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