BSZ018NE2LSATMA1
1个N沟道 耐压:25V 电流:153A
- 描述
- 特性:针对高性能降压转换器(服务器、VGA)进行优化。 高频开关电源(SMPS)的极低 FOMQoss。 高频开关电源(SMPS)的低 FOMSW。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(FOM)。 在 VGS = 4.5 V 时具有极低的导通电阻 RDS(on)。 100% 雪崩测试。 卓越的热阻。 N 沟道。 根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ018NE2LSATMA1
- 商品编号
- C3279317
- 商品封装
- TSDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 153A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.724nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.33nF |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(1个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交1单
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