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BSL606SNH6327XTSA1
1个N沟道 耐压:60V 电流:4.5A
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- 描述
- 特性：N沟道增强模式。 逻辑电平（额定4.5V）。 雪崩额定。 根据AEC Q101标准认证。 100%无铅；无卤；符合RoHS标准
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSL606SNH6327XTSA1
- 商品编号
- C3279330
- 商品封装
- TSOP-6-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@15uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 657pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 174pF |
商品特性
- 为高性能降压转换器优化的同步场效应晶体管（SyncFET）
- 集成单片类肖特基二极管
- 在VGS = 4.5 V时，导通电阻RDS(on)极低
- 经过100%雪崩测试
- 出色的热阻性能
- N沟道
- 针对目标应用通过JEDEC认证
- 引脚无铅电镀；符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤
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