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IQE030N06NM5CGATMA1
N沟道,电流:137A,耐压:60V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IQE030N06NM5CGATMA1
- 商品编号
- C3279335
- 商品封装
- TTFN-9-1
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 137A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 107W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V@50uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 780pF |
商品特性
- 双N沟道
- 增强型
- 超逻辑电平（额定2.5V）
- 雪崩额定
- 符合AEC Q101标准
- 100%无铅；符合RoHS标准
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