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BSZ0503NSIATMA1
1个N沟道 耐压:30V 电流:82A
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- 描述
- 特性：针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 极低导通电阻RDS(on)，VGS = 4.5 V时。 100%雪崩测试。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅镀铅，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ0503NSIATMA1
- 商品编号
- C3279318
- 商品封装
- TSDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 82A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 450pF |
商品特性
- 针对高性能降压转换器进行优化
- 单片集成类肖特基二极管
- 极低导通电阻 R D S ( o n ) @ V G S = 4.5 ~ V
- 100% 雪崩测试
- N 沟道
- 符合 JEDEC 标准,适用于目标应用
- 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
- 按照 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
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