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BSL316CH6327
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:1.5A
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- 描述
- 特性：互补P + N沟道增强模式。 逻辑电平（额定4.5V）。 雪崩额定。 根据AEC Q101认证。 100%无铅，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSL316CH6327
- 商品编号
- C3279328
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@11uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 282pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 84pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 91pF |
商品特性
- 互补 P + N 沟道
- 增强型
- 逻辑电平（额定 4.5V）
- 雪崩额定
- 符合 AEC Q101 标准
- 100% 无铅；符合 RoHS 标准
- 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
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