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BSZ0902NSATMA1

1个N沟道耐压:30V 电流:106A

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描述: 特性：针对高性能降压转换器（服务器、VGA）进行优化。高频开关电源的极低品质因数Qoss。高频开关电源的低品质因数SW。出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积（品质因数）。在VGS = 4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: BSZ0902NSATMA1
商品编号: C3279313
商品封装: TSDSON-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.3克(g)

商品参数

商品概述

最新的650 V CoolMOS™ CFD7扩展了CFD7系列的电压等级，是650 V CoolMOS™ CFD2的继任产品。凭借改进的开关性能和出色的热性能，650 V CoolMOS™ CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换相鲁棒性。CoolMOS™ CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

商品特性

超快体二极管
650 V击穿电压
同类最佳的漏源导通电阻（RDS(on)）
降低开关损耗
低漏源导通电阻（RDS(on)）温度依赖性

应用领域

适用于软开关拓扑
针对移相全桥（ZVS）、LLC应用进行优化 - 服务器、电信、电动汽车充电、太阳能

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	106A
	导通电阻(RDS(on))	3.5mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	48W
	阈值电压(Vgs(th))	2V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	35nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.261nF
	反向传输电容(Crss)	88pF@15V
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	798pF