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BSZ063N04LS6ATMA1
1个N沟道 耐压:40V 电流:57A
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- 描述
- 特性：针对同步应用进行优化。 极低的导通电阻Rps(on)，100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准，无卤，额定温度175°C
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ063N04LS6ATMA1
- 商品编号
- C3279302
- 商品封装
- TSDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 57A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个5000个/圆盘
总价金额：
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